NE1185是专为谐振半桥拓扑设计的控制器。它提供两个驱动信号通道，以50%的占空比输出互补信号。两个互补栅极信号之间350ns的内部固定死区时间保证了瞬态期间的零电压切换，并支持高频操作。

NE1185内部集成自举二极管简化了高压侧开关的外部驱动电路。它可以承受高达600V的电压，对高dV/dt噪声具有抑制作用。

NE1185可以通过调制开关频率来调节拓扑输出电压。内部一个可编程振荡器可以设置控制器的最大和最小开关频率。NE1185会以编程设定的最大开关频率启动，并逐渐减小，直到控制环路接管，此行为用以防止开机时过大的涌入电流。在轻负载下，IC会被强制进入到受控间歇模式，以减小开关功耗。

NE1185的保护功能包括锁定关机、自动恢复、掉电保护和过温保护，可在不增加电路复杂性的情况下提高转换器设计的安全性。

NE1185的高压侧和低压侧栅极驱动都能提供1A/2A的拉电流/灌电流驱动能力。

NE1185采用符合ROHS标准的SOP16封装。